S1B-13-F, Диод: выпрямительный, SMD, 100В, 1А, 1,8мкс, SMA, Ufmax: 1,1В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541248
- Артикул
- S1B-13-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SMA
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.10.0080
- Speed
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Цена по запросу
(от 8,37 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: выпрямительный, SMD, 100В, 1А, 1,8мкс, SMA, Ufmax: 1,1В Характеристики Категория Диод Тип выпрямительный
Технические параметры
| Case | SMA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Type: | Standard Recovery Rectifiers |
| Width | 2.92mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Series: | S1B |
| Mounting | SMD |
| Product: | Rectifiers |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | Standard |
| Вес, г | 0.07 |
| Capacitance | 10pF |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Load current | 1A |
| Package Type | SMA |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | SMA/DO-214AC |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | Rectifiers |
| Type of diode | rectifying |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Recovery Time: | 1.8 us |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SMA-2 |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Product Category: | Rectifiers |
| Max Surge Current: | 30 A |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Base Product Number | S1B -> |
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Configuration | Single |
| If - Forward Current | 1A |
| Max. forward voltage | 1.1V |
| Peak Reverse Voltage | 100V |
| Vf - Forward Voltage | 1.1V @ 1A |
| Емкость, пФ | 12 |
| If - Forward Current: | 1 A |
| Ir - Reverse Current: | 5 uA |
| Reverse recovery time | 1.8µs |
| Vf - Forward Voltage: | 1.1 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 100 V |
| Max. off-state voltage | 100V |
| Maximum Forward Current | 1A |
| Maximum Reverse Voltage | 100V |
| Semiconductor structure | single diode |
| Supplier Device Package | SMA |
| Maximum Diode Capacitance | 10pF |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3Вµs |
| Max. forward impulse current | 30A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5ВµA @ 100V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature - Junction | -65В°C ~ 150В°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Рабочая температура PN-прехода (°С) | -55…+150 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 1 |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА) | 5 |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В) | 1.1 |