RUE002N02TL, MOSFETs Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 20V, 0.2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025512673
- Артикул
- RUE002N02TL
- Бренд
- Rohm
- Type
- N Channel
- Series
- RUE002N02
- Product
- MOSFET Small Signals
- Fall Time
- 10 ns
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 200 мА 1.2Ohm@2.5V,200 мА 150 МВт 1 В при 1 мА N-канальные МОП-транзисторы SOT-416F, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Series | RUE002N02 |
| Product | MOSFET Small Signals |
| Fall Time | 10 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.14 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFETs |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-416-3 |
| Part # Aliases | RUE002N02 |
| Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET |
| Product Category | MOSFETs |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |