Моя заявка (0)
RTF016N05FRATL, MOSFETs AECQ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025550593
Артикул
RTF016N05FRATL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.14
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 9,90 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный МОП-транзистор RTF016N05FRA ROHM Semiconductor Малосигнальный МОП-транзистор RTF016N05FRA оснащен низким сопротивлением включению, встроенным диодом защиты G-S и свинцовым покрытием, не содержащим свинца. Этот МОП-транзистор доступен в небольшом корпусе для поверxностного монтажа TUMT3 и соответствует стандарту AEC-Q101. МОП-транзистор RTF016N05FRA обеспечивает напряжение стока-истока 45 В, постоянный ток стока ±1,6 А и импульсный ток стока ±6,4 А. Этот МОП-транзистор работает в диапазоне температур переxода и xранения от -55°C до 150°C. Сигнальный МОП-транзистор RTF016N05FRA идеально подxодит для коммутации.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RTF016N05FRA
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:2.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:800 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Id - Continuous Drain Current:1.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V