RQ3G150GNTB, Nch 40V 30Aw Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069786194
- Артикул
- RQ3G150GNTB
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 6.4 ns
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 125 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 6.4 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HSMT-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RQ3G150GN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 24.1 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |