RQ3E120ATTB, MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025522335
- Артикул
- RQ3E120ATTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.14
- Transistor Polarity
- P Channel
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 2.5V @ 1mA
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 11.3mО© @ 12A,4.5V
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 1mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.3mО© @ 12A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 20W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 39A |