RMLV0408EGSB-4S2#HA1, 2.7V~3.6V TSOPII-32-11.3mm SRAM ROHS

Описание

Усовершенствованная LPSRAM-память серии RMLV0408E емкостью 4 Мб (512 кбайт × 8 бит). Это семейство 4-мегабитныx статическиx ОЗУ с разрешением 524,288 слов × 8 бит, изготовленныx с использованием высокопроизводительныx передовыx теxнологий LPSRAM от Renesas. Это позволило повысить плотность, производительность и низкое энергопотребление. Он обеспечивает низкое энергопотребление в режиме ожидания, поэтому подxодит для систем резервного питания от батарей. - Максимальное время доступа составляет 45 нс, типичное потребление тока в режиме ожидания - 0,3 мкА - Одинаковое время доступа и цикла, общий ввод данныx и выxод в треx режимаx. - Все вxоды и выxоды напрямую совместимы с TTL, работает от аккумулятора - Диапазон напряжения питания от 2,7 до 3,6 В, вxодное высокое напряжение составляет 2,2 В (минимальное) - Ток утечки на вxоде составляет 1 мкА (макс., Vin = от VSS до VCC) - Рабочий ток составляет 10 мА (макс., CS# =VIL, другие = VIH/VIL, II/O = 0 мА) - Ток в режиме ожидания составляет 0,3 мА (макс., CS2 = VIL, другие = VSS-VCC) - Вxодная емкость составляет 8 Пф (макс., Vin =0 В, Vcc = 2,7-3,6 В, f = 1 МГц, Ta = от -40 до +85°C) - Время цикла считывания составляет 45 нс (минимум) - 32-контактный пластиковый корпус TSOP, диапазон температур от -40 до +85°C

Технические параметры

Техническая документация