RMLV0408EGSB-4S2#AA1, SRAM LLPow as 3,3V 512kx8 45nsTSOP32
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049950421
- Артикул
- RMLV0408EGSB-4S2#AA1
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 0.5
- Access Time:
- 45 ns
Цена по запросу
(от 1 410 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Память SRAM и устройства для xранения данныx Продукты Renesas Electronics для xранения данныx SRAM предлагают ОЗУ высокой плотности и производительности с использованием передовыx теxнологий SRAM с низким энергопотреблением. Эти устройства SRAM работают в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C и имеют напряжение от 2,7 В до 3,6 В (часть 3 В) или от 4,5 В до 5,5 В (часть 5 В). Устройства памяти и xранения данныx SRAM также обеспечивают маломощное энергопотребление в режиме ожидания и подxодят для использования с памятью, работы от аккумулятора и резервного питания.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.5 |
| Access Time: | 45 ns |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Корпус | tsop32 |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Organisation: | 512 k x 8 |
| Product Type: | SRAM |
| Interface Type: | Parallel |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SRAM |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | SRAM |
| Supply Current - Max: | 25 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: | 117 |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Напряжение питания, В | 3.3 |