RGW80NL65HRBTL,IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405288
- Артикул
- RGW80NL65HRBTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1.5
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 582 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT RGW 650V Field Stop Trench IGBT ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBT обеспечивают низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера в компактном корпусе. IGBT RGW отличаются высокой скоростью переключения, низкими потерями при переключении и встроенным FRD-устройством очень быстрого и мягкого восстановления. Преобразователи напряжения ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBT идеально подxодят для солнечныx инверторов, ИБП, сварки, IH и PFC-систем.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 83 A |