RF4C100BCTCR, Диод: выпрямительный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014889958
- Артикул
- RF4C100BCTCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 86 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 43 ns
Цена по запросу
(от 36,96 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DFNWB-6-EP(2x2) соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 86 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 43 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HUML2020L-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RF4C100BC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |