RD3P01BATTL1, MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023232754
- Артикул
- RD3P01BATTL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 45 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 14 ns
Цена по запросу
(от 140,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 45 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 59 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Макс.рабочее напряжение,В | 100 |