QSE113E3R0, No Phototransistor Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073229815
- Артикул
- QSE113E3R0
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- IR Chip
- Material
- Silicon
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Минимальный заказ: 350 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Фототранзисторный ИК-чип Silicon 880nm с 2-контактным боковым индикатором T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | IR Chip |
| Material | Silicon |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | NPN |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lens Color | Black Transparent |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
| Lens Shape Type | Domed |
| Supplier Package | Side Looker |
| Viewing Orientation | Side View |
| Peak Wavelength (nm) | 880 |
| Phototransistor Type | Phototransistor |
| Standard Package Name | Side Looker |
| Угол Обзора | 50° |
| Fabrication Technology | NPN Transistor |
| Maximum Fall Time (ns) | 8000(Typ) |
| Maximum Rise Time (ns) | 8000(Typ) |
| Maximum Dark Current (nA) | 100 |
| Maximum Light Current (uA) | 1500 |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Maximum Collector Current (mA) | 5 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
| Half Intensity Angle Degrees (°) | 25 |
| Энергопотребление | 100мВт |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 |
| Типичное Значение Длины Волны | 880нм |