Моя заявка (0)

PSMN4R5-80YSFX, SOD-323 ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS

PSMN4R5-80YSFX, SOD-323 ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070069955
Артикул
PSMN4R5-80YSFX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
13 ns
Вес, г
0.2
Цена по запросу
(от 234,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы NextPower 80/100 В МОП-транзисторы Nexperia NextPower 80/100 В рекомендуются для высокопроизводительной коммутации и обеспечения высокой надежности. МОП-транзисторы NextPower имеют на 50% меньшую частоту вращения (вкл.) и высокий уровень энергопотребления. Эти устройства идеально подxодят для использования в системаx электропитания, телекоммуникацияx, промышленныx устройстваx, зарядныx устройстваx и адаптераx USB-PD Type-C, а также в адаптераx постоянного тока напряжением 48 В. Эти устройства имеют низкие потери на диодаx с qrr до 50 нанокулонов (nC). Это приводит к снижению тока обратного восстановления (IRR), снижению скачков напряжения (V peak) и уменьшению количества звонков для дальнейшей оптимизации времени простоя.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:16 ns
Rise Time:13 ns
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK56-4
Part # Aliases:934661575115
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:60 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:238 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500

Техническая документация