PSMN4R0-40YS,115, MOSFET PSMN4R0-40YS/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025548854
- Артикул
- PSMN4R0-40YS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 113,70 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 100А, SOT669 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.14 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | LFPAK |
| Process Technology | TMOS |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 19 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 106000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31|38 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 31@10V|38@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 100 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2410@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.2@10V |