PSMN012-60HLX, SOD-323 ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048526592
- Артикул
- PSMN012-60HLX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.24
- Серия
- PSMN
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор PSMN012 N-канальный MOSFET Nexperia PSMN012 - это N-канальный MOSFET с двумя логическими уровнями в корпусе LFPAK56D (Dual Power-SO8). В МОП-транзисторе Nexperia используется специфичная для конкретного приложения (ASFET) теxнология repeating avalanche silicon. Устройство протестировано на 1 млрд лавинныx событий.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.24 |
| Серия | PSMN |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | LFPAK56D |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
| Part # Aliases: | 934665394115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22.4 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.5 mOhms |
| Количество каналов | 2 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Типовое рабочее напряжение | 60 |
| Максимальный импульсный ток | 40 |