Моя заявка (0)
Прочие предохранители LSIC1MO120E0080

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069755347
Бренд
Littelfuse
RoHS
Details
Brand
Littelfuse
FET Type
N-Channel
Fall Time
6 ns
Цена по запросу
(от 5 810 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Mosfet, N-Ch, 1,2Кв, 39 А, 150°C, 179 Вт Соответствует требованиям Rohs: Да |Littelfuse LSIC1MO120E0080

Технические параметры

RoHSDetails
BrandLittelfuse
FET TypeN-Channel
Fall Time6 ns
PackagingTube
Rise Time10 ns
Vgs (Max)+22V, -6V
TechnologySiC
Channel ModeEnhancement
ManufacturerLittelfuse
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge95 nC
Number of Channels1 Channel
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity450
Operating Temperature-55°C ~ 150°C
Pd - Power Dissipation179 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max)179W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247AD
Vgs - Gate-Source Voltage-5 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Typical Turn-Off Delay Time16 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 20 V
Id - Continuous Drain Current25 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Rds On - Drain-Source Resistance80 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1825 pF @ 800 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A(Tc)

Техническая документация