Моя заявка (0)
PMV65XPEAR, MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025615215
Артикул
PMV65XPEAR
Бренд
Nexperia B.V.
Type
P Channel
Width
1.4mm
FET Type
P-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TypeP Channel
Width1.4mm
FET TypeP-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Pin Count3
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.14
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerNexperia USA Inc.
Package TypeSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250ВµA
Automotive StandardAEC-Q101
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)480mW;6.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)480mW(Ta), 6.25W(Tc)
Supplier Device PackageTO-236AB
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation6250 mW
Typical Gate Charge @ Vgs5 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9nC@4.5V
Maximum Gate Source Voltage12 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)618pF@10V
Maximum Drain Source Voltage-20 V
Continuous Drain Current (Id)2.8A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Maximum Gate Threshold Voltage-1.25V
Minimum Gate Threshold Voltage-0.75V
Maximum Drain Source Resistance125 mΩ
Maximum Continuous Drain Current3.3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds618pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C2.8A(Ta)

Техническая документация