PMV52ENEAR, MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025570869
- Артикул
- PMV52ENEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 13 ns
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30 В, 3,2 А, 0,63 Вт; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:3,2 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,052 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое значение Напряжение Vgs
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661153215 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 630mW;5.7W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.3nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 100pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |