PMV50EPEAR, MOSFETs SOT23 P-CH 30V 4.2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025477708
- Артикул
- PMV50EPEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Grade
- Automotive
- FET Type
- P-Channel
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -30 В, SOT-23-3; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -4,2 А; Напряжение источника стока Vds:-30 В; Сопротивление Rds(включено): 0,035 Ом; Испытательное напряжение Rds(включено) Vgs:-10 В; Пороговое напряжение Vg
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Grade | Automotive |
| FET Type | P-Channel |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 19 ns |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.14 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel Trench MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 12.8 nC |
| Power Dissipation | 480мВт |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 1.2 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.2A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 310mW(Ta), 455mW(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2 nC @ 10 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Forward Transconductance - Min | 13.5 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.035Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 793 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) |
| Непрерывный Ток Стока | 4.2А |
| Рассеиваемая Мощность | 480мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.035Ом |