Моя заявка (0)
PMV19XNEAR, MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025629803
Артикул
PMV19XNEAR
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.14
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
610мВт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V N-CHANNEL

Технические параметры

Вес, г0.14
Channel TypeN Channel
Power Dissipation610мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада32 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT23 (TO-236AB)
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора12.4 nC
Время нарастания17 ns
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность610мВт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs650мВ
Pd - рассеивание мощности610 mW
Другие названия товара №934660749215
Id - непрерывный ток утечки6 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236AB
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения33 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.30 S

Техническая документация