Моя заявка (0)
PMSTA06,115, Bipolar Transistors - BJT SOT323 60V .5A NPN B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025514051
Артикул
PMSTA06,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г0.14
Длина2.2 mm
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
SubcategoryTransistors
ManufacturerNexperia
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-323-3
Part # Aliases934042660115
Transistor TypeNPN
Base Product NumberPMSTA06 ->
Transistor PolarityNPN
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation200 mW
DC Current Gain hFE Max50 at 10 mA, 2 V
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO4 V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Collector- Base Voltage VCBO80 V
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
DC Collector/Base Gain hfe Min50 at 10 mA, 2 V, 50 at 100 mA, 1 V
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max80 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Saturation Voltage250 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 100mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №PMSTA06 T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.50 at 10 mA at 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 10 mA at 2 V, 50 at 100 mA at 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация