PMGD780SN,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025557455
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
- Product
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 18,06 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 0,31А, 410мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 4 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.14 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSSOP-6 |
| Part # Aliases | PMGD780SN T/R |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 410 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 490 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 780 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |