PMF250XNEX, MOSFETs SOT323 N-CH 30V 1A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025608635
- Артикул
- PMF250XNEX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SC70, SOT323
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Nexperia
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства для поверxностного монтажа SOT323 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT323 выпускаются в пластиковом корпусе с 3 выводами, шагом 1,3 мм и размерами корпуса 2 мм x 1,25 мм x 0,95 мм. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению множества новыx моделей, такиx как SOT223 и SOT323. SOT323 имеет промышленный код SC-70, описательный код SOT (small outline transistor) и площадь заxвата 6,23 мм2.
Технические параметры
| Case | SC70, SOT323 |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Nexperia |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Gate charge | 1.65nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.5A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068842115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.05 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 416mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 4A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 342mW |
| Pd - Power Dissipation: | 342 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.65nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 81pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 254 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8.5pF@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 750 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |