PMBTA92,215, Bipolar Transistors - BJT PMBTA92/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025568313
- Артикул
- PMBTA92,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 3 mm
- Package Type
- SOT-23
Цена по запросу
(от 6,63 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 300В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 3 mm |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -300 V |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -300 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 300V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | PMBTA92 T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 1 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 25 at 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |