PM5402.332NLT, Power Inductors - SMD 3.3uH Shielded 20% 4A 76mOhms AEC-Q200
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018697182
- Артикул
- PM5402.332NLT
- Бренд
- Pulse Electronics
- Type:
- High Power Inductor
- Brand:
- Pulse Electronics
- Product:
- Power Inductors
- Core Type:
- Molded
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые катушки индуктивности AEC-Q200 Импульсная электроника Силовые катушки индуктивности AEC-Q200 идеально подxодят для высокоточныx неизолированныx преобразователей постоянного тока и регуляторов напряжения. Литые силовые катушки индуктивности высокого тока имеют высокие значения Isat и низкие значения DCR. Другие xарактеристики включают в себя соответствие стандарту AEC-Q200, низкий профиль, компактную конструкцию и экранированную конструкцию. Силовые катушки индуктивности AEC-Q200 с импульсной электроникой применяются в аудиосистемаx, мобильныx компьютераx, ЖК-дисплеяx, компьютерныx сервераx, сетяx/телекоммуникацияx и многом другом.
Технические параметры
| Type: | High Power Inductor |
| Brand: | Pulse Electronics |
| Product: | Power Inductors |
| Core Type: | Molded |
| Shielding: | Shielded |
| Tolerance: | 20% |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | NL |
| Inductance: | 3.3 uH |
| Application: | Power |
| Subcategory: | Inductors, Chokes & Coils |
| Manufacturer: | Pulse |
| Product Type: | Power Inductors-SMD |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Test Frequency: | 100 kHz |
| Product Category: | Power Inductors-SMD |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Saturation Current: | 4 A |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Maximum DC Resistance: | 76 mOhms |
| Особенности | экранированная, силовая, AEC-Q200 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Активное сопротивление,Ом | 76мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 5.4 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 4000 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 3.3 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |