Моя заявка (0)

PCDP1665G1_T0_00001, SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode

PCDP1665G1_T0_00001, SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007473625
Артикул
PCDP1665G1_T0_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Tube
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 760 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Барьерные диоды Шоттки из SiC от PANJIT Барьерные диоды Шоттки из SiC обеспечивают нулевой ток обратного восстановления, низкое падение прямого напряжения и не зависящее от температуры переключение. Устройства обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения и отличными тепловыми xарактеристиками. Теxнология карбида кремния обеспечивает более низкие потери проводимости. Диоды обеспечивают стабильность и высокую прочность в диапазоне рабочиx температур от -55°C до +175°C.

Технические параметры

Brand:Panjit
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Tube
Вес, г2
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-220AC-2
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-220AC-2
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:16 A
Ir - Reverse Current:5 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:136.4 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:720 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Рабочая температура, °C-55 to+175
Обратный ток утечки, мкА5
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)16

Техническая документация