PCDH30120CCG1_T0_00601, SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022353436
- Артикул
- PCDH30120CCG1_T0_00601
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
Цена по запросу
(от 2 890 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Super Junction на 650 В N-канальные МОП-транзисторы Panjit на 650 В имеют низкое значение RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F. МОП-транзисторы напряжением 650 В поддерживают RDS (ON) 280 Мом, 380 Мом, 600 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,7 А, 7,3 А, 10,6 А или 13,8 А. МОП-транзисторы Panjit 650V N-Ch Super Junction, прошедшие 100-процентное тестирование avalanche и Rg, отличаются простотой использования.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247AD |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |