Моя заявка (0)

PCDH20120CCG1_T0_00601, SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH20120CCG1_T0_00601, SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018617871
Артикул
PCDH20120CCG1_T0_00601
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Tube
Вес, г
7
Цена по запросу
(от 2 060 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Super Junction на 650 В N-канальные МОП-транзисторы Panjit на 650 В имеют низкое значение RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F. МОП-транзисторы напряжением 650 В поддерживают RDS (ON) 280 Мом, 380 Мом, 600 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,7 А, 7,3 А, 10,6 А или 13,8 А. МОП-транзисторы Panjit 650V N-Ch Super Junction, прошедшие 100-процентное тестирование avalanche и Rg, отличаются простотой использования.

Технические параметры

Brand:Panjit
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Tube
Вес, г7
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-247AD-3
Manufacturer:Panjit
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Dual
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247AD-3
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:10 A
Ir - Reverse Current:1.16 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:164.8 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:720 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаDual
Кол-во диодов в корпусе2
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА1.16
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация