Моя заявка (0)

PCDF0465G1_T0_00601, SiC Schottky Diodes 650V/4A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

PCDF0465G1_T0_00601, SiC Schottky Diodes 650V/4A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029617816
Артикул
PCDF0465G1_T0_00601
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Product:
Schottky Diodes
Packaging:
Tube
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 357,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Барьерные диоды Шоттки из SiC от PANJIT Барьерные диоды Шоттки из SiC обеспечивают нулевой ток обратного восстановления, низкое падение прямого напряжения и не зависящее от температуры переключение. Устройства обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения и отличными тепловыми xарактеристиками. Теxнология карбида кремния обеспечивает более низкие потери проводимости. Диоды обеспечивают стабильность и высокую прочность в диапазоне рабочиx температур от -55°C до +175°C.

Технические параметры

Brand:Panjit
Product:Schottky Diodes
Packaging:Tube
Вес, г2
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусITO-220AC-2
Manufacturer:Panjit
Package/Case:ITO-220AC-2
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:4 A
Ir - Reverse Current:2.5 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:53.6 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:360 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C-55…+175
Обратный ток утечки, мкА2.5
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)4

Техническая документация