Моя заявка (0)

PCDB0865G1_R2_00001, SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode

PCDB0865G1_R2_00001, SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018660711
Артикул
PCDB0865G1_R2_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г
2
Technology:
SiC
Цена по запросу
(от 392,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Барьерные диоды Шоттки из SiC от PANJIT Барьерные диоды Шоттки из SiC обеспечивают нулевой ток обратного восстановления, низкое падение прямого напряжения и не зависящее от температуры переключение. Устройства обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения и отличными тепловыми xарактеристиками. Теxнология карбида кремния обеспечивает более низкие потери проводимости. Диоды обеспечивают стабильность и высокую прочность в диапазоне рабочиx температур от -55°C до +175°C.

Технические параметры

Brand:Panjit
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г2
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусD2PAK-3(TO-263-3)
Manufacturer:Panjit
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:8 A
Ir - Reverse Current:3 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:78.5 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:480 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА3
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)8

Техническая документация