PCDB0465G1_R2_00001, SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018705236
- Артикул
- PCDB0465G1_R2_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 2
- Technology:
- SiC
Цена по запросу
(от 253,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из SiC от PANJIT Барьерные диоды Шоттки из SiC обеспечивают нулевой ток обратного восстановления, низкое падение прямого напряжения и не зависящее от температуры переключение. Устройства обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения и отличными тепловыми xарактеристиками. Теxнология карбида кремния обеспечивает более низкие потери проводимости. Диоды обеспечивают стабильность и высокую прочность в диапазоне рабочиx температур от -55°C до +175°C.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 4 A |
| Ir - Reverse Current: | 2 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 46 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 280 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Рабочая температура, °C | -55 to+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 2 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 4 |