Моя заявка (0)

PBSS8110Z,135, Bipolar Transistors - BJT SOT223 100V 1A NPN BISS TRAN

PBSS8110Z,135, Bipolar Transistors - BJT SOT223 100V 1A NPN BISS TRAN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025501107
Артикул
PBSS8110Z,135
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
4
Вес, г
0.14
Длина
6.7 mm
Package Type
SOT-223(SC-73)
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-13

Технические параметры

Pin Count4
Вес, г0.14
Длина6.7 mm
Package TypeSOT-223(SC-73)
Высота1.7 mm
Ширина3.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)1.4W
Minimum DC Current Gain150
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.4 W
Transition Frequency (fT)100MHz
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-4
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)150@250mA, 10V
Maximum DC Collector Current1 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage120 V
кол-во в упаковке4000
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)100V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1400 mW
Другие названия товара №/T3 PBSS8110Z
Размер фабричной упаковки4000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@1A, 100mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация