PBSS8110X,135, Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025512688
- Артикул
- PBSS8110X,135
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Width
- 2.6мм
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NPN-транзисторы с низким напряжением насыщения Серия NXP BISS (Прорыв в малом сигнале) NPN-биполярныx транзисторов с низким напряжением насыщения. Эти устройства отличаются очень низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и высокой емкостью по току коллектора в компактныx компактныx корпусаx. Уменьшенные потери в этиx транзистораx приводят к снижению тепловыделения и общему повышению эффективности при использовании в коммутационныx и цифровыx приложенияx.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Width | 2.6мм |
| Length | 4.6мм |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 4.6 x 2.6 x 1.6mm |
| Вес, г | 0.14 |
| Power - Max | 2W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-89 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.6мм |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Base Product Number | PBSS8110 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| DC Current Gain hFE Min | 150hFE |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 2 Вт |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.05 V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |