PBSS5250X,115, Bipolar Transistors - BJT SOT89 50V 2A PNP BISS TRAN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025605417
- Артикул
- PBSS5250X,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- UPAK
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 23,60 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка транзисторов с низким напряжением насыщения PNP на биполярном переxоде NXP BISS (прорыв в малом сигнале).
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | UPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1A, 2V |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 320mV@2A, 200mA |