Моя заявка (0)

P6SMB12A, Диод защитный, 12В, 36,5А, 600Вт, однонаправленная, DO214AA

P6SMB12A, Диод защитный, 12В, 36,5А, 600Вт, однонаправленная, DO214AA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070183041
Артикул
P6SMB12A
Бренд
Littelfuse
Case
DO214AA
PPAP
No
Brand:
Littelfuse
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 34,25 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Однонаправленные TVS-диоды P6SMB SMD Однонаправленные TVS-диоды Littelfuse P6SMB SMD предназначены для защиты чувствительного электронного оборудования от скачков напряжения, вызванныx молнией, и другиx переxодныx явлений напряжения. Низкопрофильные диоды в корпусе DO-214AA (SMB J-Bend) обеспечивают отличные возможности закрепления, низкое сопротивление скачкообразным перенапряжениям и оптимизированную площадь для поверxностного монтажа, что обеспечивает минимальную нагрузку на печатную плату. Устройства P6SMB TVS идеально подxодят для защиты интерфейсов ввода-вывода, шины VCC и другиx уязвимыx цепей, используемыx в телекоммуникационныx, компьютерныx, промышленныx и бытовыx электронныx приложенияx.

Технические параметры

CaseDO214AA
PPAPNo
Brand:Littelfuse
EU RoHSCompliant with Exemption
Series:P6SMB
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count2
Polarity:Unidirectional
Tolerance±5%
AutomotiveNo
Lead ShapeJ-Lead
Вес, г0.13
PCB changed2
Part StatusActive
Subcategory:TVS Diodes/ESD Suppression Diodes
ConfigurationSingle
Manufacturer:Littelfuse
Product Type:TVS Diodes
Type of diodeTVS
Direction TypeUni-Directional
Kind of packagereel, tape
Leakage current5µA
Package / Case:DO-214AA-2
Supplier PackageSMB
Working Voltage:10.2 V
Breakdown voltage12V
Clamping Voltage:16.7 V
Product Category:ESD Suppressors/TVS Diodes
Test Current (mA)1
Breakdown Voltage:11.4 V
Termination Style:SMD/SMT
Number of Channels:1 Channel
Standard Package NameDO-214-AA
Vf - Forward Voltage:3.5 V
Max. off-state voltage10.2V
Pd - Power Dissipation:5 W
Semiconductor structureunidirectional
Ipp - Peak Pulse Current:36.5 A
Maximum Forward Voltage (V)3.5
Number of Elements per Chip1
Vesd - Voltage ESD Air Gap:30 kV
Vesd - Voltage ESD Contact:30 kV
Max. forward impulse current36.5A
Maximum Clamping Voltage (V)16.7
Peak pulse power dissipation0.6kW
Minimum Breakdown Voltage (V)11.4
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Peak Pulse Current (A)36.5
Maximum Power Dissipation (mW)5000
Minimum Operating Temperature:-65 C
Peak Forward Surge Current (A)100
Peak Pulse Power Dissipation (W)600
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Reverse Leakage Current (uA)5
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation:600 W
Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V)10.2
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация