OPT101P, Фотодиод с интегрированным на кристалле трансимпедансным усилителем [DIP-8.]
![OPT101P, Фотодиод с интегрированным на кристалле трансимпедансным усилителем [DIP-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/920/DOC003920577.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 687648436
- Артикул
- OPT101P
- Бренд
- Texas Instruments
- Тип
- Датчик освещенности
- Вес, г
- 1
- Корпус
- R-PDIP-T8
- Длина волны,нм
- 650 нм
Цена по запросу
(от 2 043 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ФОТОДИОД, 650 НМ, DIP-8; Количество контактов: 8 контактов; Тип корпуса диода: DIP; Длина волны пиковой чувствительности: 650 нм; Спектральная чувствительность при пике: 865 мВ/мкВт/куб.Мбит/с; Минимальная рабочая температура: -25 В°C; Максимальная рабочая температура: 85 В°C; Продукт
Технические параметры
| Тип | Датчик освещенности |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | R-PDIP-T8 |
| Длина волны,нм | 650 нм |
| Напряжение питания, В | 2.7…36 |
| Рабочая температура, С | 0…+70 |