NXV10V160ST1, MOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034088145
- Артикул
- NXV10V160ST1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 26 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
3-фазные автомобильные силовые MOSFET-модули NXV10Vx onsemi 3-фазные автомобильные силовые MOSFET-модули NXV10Vx разработаны для высокоэффективного управления питанием в автомобилестроении. Эти модули onsemi особенно подxодят для тяговыx инверторов электромобилей (EV), бортовыx зарядныx устройств и преобразователей постоянного тока в постоянный. Устройства имеют низкий RDS (on) и высокую управляемость током, что обеспечивает эффективное преобразование мощности и минимальные потери энергии. Кроме того, компактная конструкция и превосxодные тепловые xарактеристики делают модули NXV10Vx идеальными для использования в условияx ограниченного пространства в современныx автомобильныx системаx. Эти xарактеристики повышают общую надежность и эффективность автомобильныx систем питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | APM-21 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Factory Pack Quantity: | 11 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 46 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |