NXH600B100H4Q2F2SG, IGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029004662
- Артикул
- NXH600B100H4Q2F2SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Si/SiC Hybrid Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 335
Цена по запросу
(от 39 800 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Гибридный модуль NXH600B100H4Q2F2SG Si/SiC onsemi Гибридный модуль NXH600B100H4Q2F2SG Si/SiC - это треxканальный симметричный модуль усиления. Каждый канал содержит два IGBT-транзистора напряжением 1000 В, 200 А и два SiC-диода напряжением 1200 В, 60 А. Модуль также содержит терморезистор NTC. Область применения - солнечные инверторы и системы бесперебойного питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Si/SiC Hybrid Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 335 |
| Technology: | SiC, Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Triple |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 36 |
| Pd - Power Dissipation: | 511 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 1 uA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.69 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 192 A |