NXH450B100H4Q2F2SG,IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046334448
- Артикул
- NXH450B100H4Q2F2SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 90
- Package Type
- Q2BOOST-Case 180BR(Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
- Корпус
- Module
- Number of Transistors
- 2
Цена по запросу
(от 29 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor Q2BOOST представляет собой гибридный треxканальный симметричный модуль усиления Si или SiC. Каждый канал содержит два IGBT-транзистора напряжением 1000 В, 150 А, два SiC-диода напряжением 1200 В, 30 А и два байпасныx диода напряжением 1600 В, 30 А. Модуль содержит терморезистор NTC.
Технические параметры
| Вес, г | 90 |
| Package Type | Q2BOOST-Case 180BR(Pb-Free and Halide-Free Solder Pins) |
| Корпус | Module |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 101 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 101 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 234 |