NXH450B100H4Q2F2SG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BR (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034549634
- Артикул
- NXH450B100H4Q2F2SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- Q2BOOST-Case 180BR(Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
- Number of Transistors
- 2
- Maximum Power Dissipation
- 79 W
Цена по запросу
(от 39 390 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor Q2BOOST представляет собой гибридный треxканальный симметричный модуль усиления Si или SiC. Каждый канал содержит два IGBT-транзистора напряжением 1000 В, 150 А, два SiC-диода напряжением 1200 В, 30 А и два байпасныx диода напряжением 1600 В, 30 А. Модуль содержит терморезистор NTC.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | Q2BOOST-Case 180BR(Pb-Free and Halide-Free Solder Pins) |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 101 A |