NXH350N100H4Q2F2S1G,IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046334446
- Артикул
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 90
- Package Type
- Q2PACK(Pb-Free/Halide-Free)
- Корпус
- Module
- Number of Transistors
- 4
Цена по запросу
(от 33 730 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor Three Level NPC Q2 pack - это встроенный модуль питания высокой плотности, сочетающий в себе высокопроизводительные IGBT-транзисторы с надежными антипараллельными диодами.
Технические параметры
| Вес, г | 90 |
| Package Type | Q2PACK(Pb-Free/Halide-Free) |
| Корпус | Module |
| Number of Transistors | 4 |
| Maximum Power Dissipation | 592 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 303 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 303 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1.63 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 592 |