NXH300B100H4Q2F2SG,IGBT Module, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046334445
- Артикул
- NXH300B100H4Q2F2SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 90
- Корпус
- Module
- Number of Transistors
- 6
- Maximum Power Dissipation
- 79 W
Цена по запросу
(от 27 540 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor Q2BOOST − это встроенный модуль питания высокой плотности, сочетающий в себе высокопроизводительные IGBT-транзисторы и SiC-диод напряжением 1200 В.
Технические параметры
| Вес, г | 90 |
| Корпус | Module |
| Number of Transistors | 6 |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 73 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 73 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 194 |