NXH040F120MNF1PTG IGBT Module F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material (TIM) (Pb-Free
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043420015
- Артикул
- NXH040F120MNF1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 0.14
- Power - Max
- 74W(Tj)
- Package Type
- F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material(TIM)(Pb-Free and Halide-Free)
Цена по запросу
(от 36 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET - это модуль питания, содержащий полный мост SiC MOSFET 40 м /1200 В и термистор в корпусе F1.
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 0.14 |
| Power - Max | 74W(Tj) |
| Package Type | F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material(TIM)(Pb-Free and Halide-Free) |
| Configuration | 4 N-Channel |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 10mA |
| Number of Transistors | 4 |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 25A, 20V |
| Supplier Device Package | 22-PIM(33.8x42.5) |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122.1nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1505pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |