NXH010P120MNF1PNG, MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064097688
- Артикул
- NXH010P120MNF1PNG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 2
- Power - Max
- 250W(Tj)
- Configuration
- 2 N-Channel(Dual)
Цена по запросу
(от 24 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 1200 В (1,2 кВ) 114 А (Tc) 250 Вт (Tj) для монтажа на шасси
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 2 |
| Power - Max | 250W(Tj) |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 454nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4707pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A(Tc) |