NXH008P120M3F1PTG, MOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064035631
- Артикул
- NXH008P120M3F1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 2
- FET Feature
- Silicon Carbide(SiC)
- Power - Max
- 382W(Tj)
Цена по запросу
(от 18 090 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 1200 В (1,2 кВ) 145 А (Tc) 382 Вт (Tj) для монтажа на шасси
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 2 |
| FET Feature | Silicon Carbide(SiC) |
| Power - Max | 382W(Tj) |
| Configuration | 2 N-Channel(Half Bridge) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 60mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 120A, 18V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 419nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8334pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 145A(Tc) |