NXH006P120M3F2PTHG, MOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8031829099
Артикул: NXH006P120M3F2PTHG
Бренд: ON Semiconductor***
Type:: Half Bridge
Brand:: onsemi
Fall Time:: 8.54 ns
Packaging:: Tray

Цена по запросу

(от 43 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полумостовой SiC-модуль NXH006P120MNF2PTG onsemi Полумостовой SiC-модуль NXH006P120MNF2PTG оснащен двумя SiC-МОП-транзисторами на 6 Мом 1200 В и термистором в корпусе F2. В переключателяx SiC MOSFET используется теxнология M1, и они приводятся в действие вентильным приводом напряжением от 18 В до 20 В. Модуль NXH006P120MNF2 обеспечивает повышенную надежность благодаря теxнологии planar и низкому тепловому сопротивлению матрицы. Типичные области применения включают преобразование постоянного тока в переменный, преобразование постоянного тока в постоянный ток, системы накопления энергии, ИБП, преобразование переменного тока в постоянный, зарядные станции для электромобилей и солнечные инверторы.

Технические параметры

Type:	Half Bridge
Brand:	onsemi
Fall Time:	8.54 ns
Packaging:	Tray
Rise Time:	13.61 ns
Вес, г	1
Technology:	SiC
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Manufacturer:	onsemi
Package/Case:	PIM-36
Product Type:	MOSFET Modules
Configuration:	Half Bridge
Mounting Style:	Press Fit
Product Category:	MOSFET Modules
Transistor Polarity:	N-Channel
Vf - Forward Voltage:	5.31 V
Factory Pack Quantity:	20
Pd - Power Dissipation:	556 W
Vgs - Gate-Source Voltage:	-10 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:	40.53 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	109 ns
Id - Continuous Drain Current:	191 A
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:	8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.8 V