NX3020NAKW,115, MOSFET NX3020NAKW/SOT323/SC-70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025555955
- Артикул
- NX3020NAKW,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 7,67 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 0,11А, 300мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 17 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 5 ns |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.14 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.34 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Base Product Number | NX3020 -> |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 260mW (Ta), 1.1W (Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 34 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.44nC @ 4.5V |
| Id - Continuous Drain Current | 180 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Qg - заряд затвора | 0.34 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.5 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 180mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | 934067071115 |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |