NVXR22S90M2SPB, MOSFET Modules SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029017162
- Артикул
- NVXR22S90M2SPB
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- EliteSiC Power Module
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 48 ns
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 313 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули питания NVXR22S90M2SPx EliteSiC от компании onsemi Модули питания NVXR22S90M2SPx EliteSiC обеспечивают улучшенную производительность, КПД и плотность мощности в компактной и совместимой упаковке. Модули onsemi NVXR22S90M2SPx оснащены SiC MOSFET напряжением 900 В в комплектации из шести модулей с запрессованными контактами для простоты сборки и повышения надежности. Устройства оснащены оптимизированным ребристым радиатором на опорной плите и используют теxнологию спекания для повышения надежности и тепловой эффективности. Модуль разработан в соответствии с автомобильным стандартом AQG324.
Технические параметры
| Type: | EliteSiC Power Module |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 48 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 94 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SSDC-39 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Module |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Factory Pack Quantity: | 4 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 106 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 295 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 510 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |