Моя заявка (0)

NUF2114MNT1G, ESD Suppressor Diode Array Bi-Dir 12V 8-Pin DFN EP T/R

NUF2114MNT1G, ESD Suppressor Diode Array Bi-Dir 12V 8-Pin DFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001039632
Артикул
NUF2114MNT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
Diode Array
Width
2mm
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диодный блок подавления электростатического разряда Bi-Dir 12V 8-контактный DFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeDiode Array
Width2mm
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
СерияNUF2114
Capacitance66pF
PCB changed8
Part StatusActive
Filter Order2
Package TypeDFN8
Test Current1mA
Корпус8-VFDFN Exposed Pad
ConfigurationDual
Mounting TypeSurface Mount
Direction TypeBi-Directional
ESD ProtectionYes
Supplier PackageDFN EP
Мощность360
Attenuation Value30dB@900MHz~3GHz
Number of Channels2
Diode ConfigurationArray
ПолярностьДвунаправленный
Standard Package NameDFN
Тип выводовSMD/SMT
Тип продуктаESD Suppressors
ПодкатегорияTVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Minimum Breakdown Voltage13.7V
Maximum Working Voltage (V)12
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокDFN-8
Frequency - Cutoff or Center50MHz
Peak Pulse Power Dissipation0.36W
Maximum Operating Temperature+85 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Cd - емкость диода66 pF
Maximum Reverse Leakage Current100nA
Maximum Reverse Stand-off Voltage12V
Напряжение пробоя13.7 V
Категория продуктаПодавители ЭСР / диоды для подавления переходных с
Количество каналов2
Рабочее напряжение12 V
Рабочая температура-40°C ~ 85°C
Pd - рассеивание мощности360 mW
Размер фабричной упаковки3000
Типовое рабочее напряжение12
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 85 C
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте30 kV

Техническая документация