Моя заявка (0)

NSVBAT54HT1G, Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

NSVBAT54HT1G, Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074772012
Артикул
NSVBAT54HT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.10.00.70
Type
Schottky Diode
Type:
Schottky Barrier Diode
Brand:
onsemi
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.10.00.70
TypeSchottky Diode
Type:Schottky Barrier Diode
Brand:onsemi
EU RoHSCompliant
Series:BAT54H
MilitaryNo
MountingSurface Mount
Product:Schottky Diodes
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count2
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.833
Серияautomotive
PCB changed2
Part StatusActive
Technology:Si
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусSOD-323
ConfigurationSingle
Manufacturer:onsemi
Package Width1.25
Package/Case:SOD-323-2
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Package Height0.9
Package Length1.7
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Supplier PackageSOD-323
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Termination Style:SMD/SMT
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Емкость, пФ10
If - Forward Current:200 mA
Ir - Reverse Current:500 nA
Standard Package NameSOD
Vf - Forward Voltage:520 mV
Vr - Reverse Voltage:30 V
Pd - Power Dissipation:200 mW
Peak Forward Voltage (V)0.8@0.1A
Peak Reverse Current (uA)2@25V
Supplier Temperature GradeAutomotive
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:600 mA
Maximum DC Reverse Voltage (V)30
Maximum Diode Capacitance (pF)10
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)200
Minimum Operating Temperature:-55 C
Peak Reverse Recovery Time (ns)5
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:30 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Конфигурация диодаОдиночный
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)0.6
Maximum Continuous Forward Current (A)0.2
Рабочая температура, °C-55…+150
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance635°C/W
Обратный ток утечки, мкА2
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Материал полупроводникаКремний
Максимальное прямое напряжение ,В0.8
Максимальное обратное напряжение (В)30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)0.2