NLV32T-2R2J-PF, SMD индуктивность 2.2uH 5% 0.32A 3.2x2.5x2.2мм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017195331
- Артикул
- NLV32T-2R2J-PF
- Бренд
- TDK/EPCOS
- Q
- 30
- HTS
- 8504.50.80.00
- Type
- RF Chip
- Design
- SMD 1210
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Индуктивность дроссель NLV32T-2R2J-PF производства TDK обладает номинальным сопротивлением 1 Ом и индуктивностью 2,2 мкГн. Точность элемента поддерживается на уровне ±5%. Ферритовый корпус дросселя имеет размер 1 210 дюймов, обеспечивая добротность 30. Максимальный рабочий ток составляет 0,32 А, а диапазон рабочих температур варьируется от -40 до +105°C. Монтаж данного компонента осуществляется при помощи SMD-технологии. Продукт NLV32T2R2JPF подходит для использования в различных электронных устройствах, требующих надёжных и качественных индуктивных компонентов. Характеристики Категория Индуктивность Тип дроссель Вид ферритовый Сопротивление 1 Ед.изм. сопротивления Ом Индуктивность 2.2 Ед.изм. индуктивности мкГн Погрешность ±, % 5 Монтаж SMD Корпус, дюймы 1210 Добротность 30 Рабочий ток макс., А 0.32 Рабочая температура мин.,°C -40 Рабочая температура макс., °C 105
Технические параметры
| Q | 30 |
| HTS | 8504.50.80.00 |
| Type | RF Chip |
| Design | SMD 1210 |
| Series | NLV-PF |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Version | SMD choke |
| Mounting | Surface Mount |
| Case Size | 1210 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Impedance | Not Required(ohm) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Quality Q | Q 30 |
| Shielding | MOLDED/UNSHIELDED |
| Tolerance | 5% |
| DC Current | 320(mA) |
| Inductance | 2.2 μH |
| Technology | Wirewound |
| Вес, г | 10 |
| Серия | NLV |
| Part Status | NRND |
| Failure Rate | Not Required |
| Package/Case | 1210(3225M) |
| Rad Hardened | No |
| Core Material | Ferrite |
| DC Resistance | 1(ohm) |
| Inductance (H) | 2.2u |
| Test Frequency | 7.96(MHz) |
| Protection Style | Unshielded |
| Military Standard | Not Required |
| Case Size (Inches) | 1210 |
| Maximum DC Current | 320mA |
| Product Depth (mm) | 2.7 |
| Saturation current | 320 mA |
| Tolerance (+ or -) | 5% |
| Measuring frequency | 7.96 MHz |
| Number of Terminals | 2 |
| Product Height (mm) | 2.4 |
| Product Length (mm) | 3.4 |
| Operating Temp Range | -40C to 105C |
| Типоразмер | 3.2x2.5x2.2 |
| Inductor Construction | Wire-Wound |
| Maximum DC Resistance | 1000mΩ |
| Product Diameter (mm) | Not Required(mm) |
| Maximum DC Current (A) | 0.32 |
| Minimum Quality Factor | 30 |
| Особенности | высокочастотная |
| Self Resonant Frequency | 75(MHz) |
| Maximum DC Resistance (Ohm) | 1 |
| Quality Test Frequency (Hz) | 7.96M |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +105°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Inductance Test Frequency (Hz) | 7.96M |
| Maximum Saturation Current (A) | 0.32 |
| Длина корпуса,мм | 3.2 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 75MHz |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 105 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Minimum Self Resonant Frequency (Hz) | 75M |
| Рабочая температура,С | -40…+105 |
| Inductance Decrease Percentage @ Isat (%) | 10 |
| Активное сопротивление,Ом | 1 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 2.5 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 320 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 320 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2.2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 5 |